Características elétricas:

Tensão máxima de coletor-emissor (Vces): 1200V

Corrente máxima contínua de coletor (Ic): 500A

Corrente máxima de pulso de coletor (Icp): 1000A

Tensão máxima de gate-emissor (Vges): ±20V

Tensão de polarização máxima do gate-emissor (VGE): ± 30V

Resistência térmica do invólucro (case) para junção (junction) (RthJC): 0.17 °C/W

Resistência térmica do invólucro (case) para ambiente (RthCA): 0.04 °C/W

Características mecânicas:

Tipo de encapsulamento: Módulo

Dimensões do invólucro (case): 190mm x 105mm x 30mm

Peso: 640g

Outras características:

Tecnologia de fabricação: IGBT 3

Configuração do IGBT: Half-bridge

Temperatura máxima de operação: 150°C

Certificações: RoHS

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Perguntas frequentes:

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