Memória Notebook Kingston 8GB DDR4 2666 Mhz 1.2V KVR26S19S8/8

Memória Notebook Kingston 8GB DDR4 2666 Mhz 1.2V KVR26S19S8/8

Alcançando mais de 2Gbps por pin e consumindo menos energia do que DDR3L (que é de baixa potência), a DDR4 oferece até 50% de aumento de desempenho e capacidade de largura de banda, diminuindo a tensão e a eficiência de energia de todo o ambiente de computação.

Isso representa uma melhoria significativa em relação às tecnologias de memória anteriores e uma economia de energia de até 40%.

Além do desempenho otimizado e da computação mais ecológica e de baixo custo, o DDR4 também oferece verificações de redundância cíclica (CRC) para confiabilidade de dados aprimorada, detecção de paridade no chip para verificação de integridade de 'comando e endereço' transferidos por um link, integridade de sinal aprimorada e outros recursos robustos do RAS.

Fonte de alimentação: VDD = 1.2V típico
- VDDQ = 1.2V típico
- VPP = 2.5V típico
- VDDSPD = 2.2V a 3.6V
- Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para sinais de dados, estroboscópio e máscara
- Atualização automática de baixa potência (LPASR)
- Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
- Geração e calibração VREFDQ na matriz
- Classificação única
- EEPROM de detecção de presença serial (SPD) I2 integrada
- 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada
- Corte de rajada fixo (BC) de 4 e comprimento de rajada (BL) de 8 através do conjunto de registros de modo (MRS)
- BC4 ou BL8 selecionável on-the-fly (OTF)
- Topologia de passagem
- Comando de controle terminado e barramento de endereço
- PCB: Altura 1,18 pol. (30,00 mm)
- Compatível com RoHS e sem halogênio

Características Memória RAM Notebook Kingston 8GB DDR4 2666 Mhz 1.2V
- Marca: Kingston
- Modelo: KVR26S19S8/8

Especificações Memória DDR4 Notebook Kingston 8GB 2666 Mhz 1.2V
- Memória para: Notebook
- Tipo: DDR4
- Capacidade: 8GB
- velocidade: 2666 MHz
- CL (IDD): 19 ciclos
- Tempo do ciclo da linha (tRCmin): 45.75ns(min)
- Atualizar para Ativo / Atualizar | Hora do comando (tRFCmin): 350ns(min)
- Tempo ativo da linha (tRASmin): 32ns(min)
- Potência operacional máxima: TBD W
- Classificação UL: 94V - 0
- Temperatura de operação: 0°C + 85°C
- Temperatura de armazenamento: -55°C + 100°C